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行業新聞
來源：發布時間：2024-12-26
半導體講求制程微縮，生產的芯片除了有更小體積、更好效能之外，也有更優異的耗能表現。而在制程微縮的需求下，微影曝光設備能提供的效能就更加關鍵。如何讓微影曝光設備能提供更加精密的工作效能，全球微影曝光設備大廠ASML就在官方Facebook公布關鍵公式：萊利公式（Rayleigh Criterion），使半導體微影曝光設備能持續發展。
ASML指出，萊利公式為CD=k1 x(λ/NA)，描述了重要參數間的對應關系，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1為變因，λ則是曝光機所用的光源波長，最后NA（Numerical Aperture）就是代表光學系統的數值孔徑。
利用此公式，在半導體制程中，希望生產的芯片體積越來越小、搭載效能越來越高。也就是說，必須將公式中的λ（光源波長）縮小、NA（反射鏡數值孔徑）提高，讓最后得到的CD越來越小。雖然有此公式輔助，但同時還是必須有曝光機的內部構造和工作模式的發展，這也是提升芯片生產效能和良率的關鍵要素。
ASML進一步表示，透過萊利公式持續改善我們的微影設備，并透過專業的微影技術、與客戶及供應商的緊密合作，協助全球半導體產業提升制造良率和產能，實現芯片微縮藍圖，讓終端消費者能夠用更合理的價格買到功能更強、體積更小巧的電子產品，進一步提升人類的生活品質。
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